|
|
|
نوشته شده توسط : علی محمد
فرمت فایل دانلودی: .rarفرمت فایل اصلی: pdf & wordتعداد صفحات: 9حجم فایل: 1510قیمت: 18000 تومان
بخشی از متن:
چکیده
در این مقاله یک ساختار جدید برای ترانزیستور دوقطبی پیوندی براساس تکنولوژی SOI طراحی شده است. این ساختار یک پین اضافی به عنوان گیت دارد .توسط اعمال یک ولتاژ به گیت ، پهنای موثر بیس کنترل می شود ، و این قابلیت باعث کنترل بهره ترانزیستور می شود .این ترانزیستور به طور وسیع با شبیه سازها بررسی شده است . تمام شبیه سازی ها با نرم افزار Silvaco انجام شده است که نشان دهنده افزایش متغیرهای بهره جریان تا ۱۰ برابر می باشد . بهره جریان ترانزیستور بدون هیچ ولتاژ گیتی برابر با ۲۰۰ می باشد ولی با اعمال ولتاژ به گیت به ترانزیستور تا ۲۰۰۰ افزایش می یابد . این قابلیت کاربردهای بالقوه ای مانند میکسرها و بهره های جریان با عملکرد خوبی به ما می دهد . در این مقاله سطح توزیع نفوذ طوری طراحی شده است که به بهترین بهره جریان و هدایت خروجی منجر شود .
کلمه های کلیدی : ترانزیستور دوقطبی ، تکنولوژی SOI ، تاثیر میدانی ، کنترل بهره جریان
 پرداخت با کلیه کارتهای عضو شتاب امکان پذیر است.
:: برچسب‌ها:
دانلود مقاله,دانلود مقاله IEEE,ترانزیستور دوقطبی,تکنولوژی SOI,تاثیر میدانی,کنترل بهره جریان,Silvaco,نرم افزار Silvaco,گیت ماسفت,ماسفت ,
:: بازدید از این مطلب : 248
|
امتیاز مطلب : 0
|
تعداد امتیازدهندگان : 0
|
مجموع امتیاز : 0
تاریخ انتشار : چهار شنبه 26 مهر 1396 |
نظرات ()
|
|
|
|
|
عضو شوید
عضویت سریع
آمار مطالب
آمار بازدید
